Основные характеристики

Тип
V-NAND
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Производитель
Samsung Electronics
DRAM буфер
1
TBW твердотельного накопителя
1200 Тбайт
Ёмкость накопителя
2000 Гбайт
Все характеристики →

Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0BW

Код товара: MZ-VAP2T0BW

39 200 ₽

В том числе НДС 22%: 7 069 ₽

НаличиеМного

Доставка2–3 дня

Характеристики

DRAM буфер
1
TBW твердотельного накопителя
1200 Тбайт
Ёмкость накопителя
2000 Гбайт
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Модель
Samsung 9100 PRO
Назначение
Клиентские ПК
Особенности
расширенный температурный диапазон
Скорость последовательного чтения
14700 Мбайт/c
Скорость последовательной записи
13400 Мбайт/c
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32)
1850000 IOPS
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32)
2600000 IOPS
Средняя наработка на отказ
1500000 ч
Тип памяти
V-NAND
Форм-фактор
M.2 2280

Доставка по России

Подберём способ доставки под тип товара и сроки проекта.

Счёт и документы

Подготовим счёт, закрывающие документы и ЭДО для юридических лиц.

Помощь с подбором

Проверим совместимость и предложим альтернативы, если товар нужен под задачу.

Запросить коммерческое предложение

Оставьте контакты, и менеджер уточнит наличие, сроки поставки и финальную стоимость.

info@whitebyte.ru +7 (812) 214-21-00