- -
- 1
- Activate to Precharge Delay (tRAS)
- -
- CAS Latency (CL)
- 40
- gtdNumber
- 10005030/030226/5027439
- id сертификата
- 0
- itemVolume
- 0
- itemWeight
- 0.025
- manufacturerCountry
- ВЬЕТНАМ
- partNumber
- M323R1GB4DB0-CWM
- pictureID
- 587081
- rusName
- [Модуль памяти] Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM
- Вес (грамм)
- -
- вес, кг
- 0.025
- высота(см)
- 3
- Габариты (мм)
- -
- гарантия
- 3 года
- длина(см)
- 13
- Дополнительная информация
- -
- Дополнительные характеристики
- -
- Количество контактов
- 288
- Количество модулей в комплекте (шт)
- 1
- Количество товара в УЕИ
- 1
- Количество чипов на модуле
- -
- Комплектация
- Модуль памяти
- Компоновка чипов на модуле
- -
- Линейка
- -
- масса(кг)
- 0.025
- Модель
- M323R1GB4DB0-CWM
- Название серии
- -
- Напряжение (В)
- 1.1
- НДС
- 20%
- Нормальная операционная температура (Tcase)
- -
- Общий объем памяти (ГБ)
- 8
- Объем одного модуля (ГБ)
- 8
- объём, м^3
- 0
- описание
- Оперативная память M323R1GB4DB0-CWM от Samsung
- Основные характеристики
- -
- Особенности
- -
- Поддержка водяного охлаждения
- -
- Потребление энергии
- -
- Пропускная способность (МБ/с)
- 38400
- Прослеживаемый товар
- 0
- Расширенная операционная температура (Tcase)
- -
- сайт производителя
- http://semiconductor.samsung.com
- Тайминги
- -
- Тип оборудования
- Оперативная память
- Тип памяти
- UDIMM
- Тип памяти DDR
- DDR5
- Тип поставки
- OEM
- ТНВЭД
- 8473302008
- удаленный склад
- ***
- Цвет
- -
- Частота (MHz)
- 5600
- Чип
- -
- ширина(см)
- 0.1