Доставка по России
Подберём способ доставки под тип товара и сроки проекта.
Основные характеристики
- Тип
- V-NAND
- Интерфейс
- PCIe 4.0 x4 (NVMe)
- Производитель
- Samsung Electronics
- DRAM буфер
- 1
- TBW твердотельного накопителя
- 1200 Тбайт
- Ёмкость накопителя
- 2000 Гбайт
Samsung Electronics MZ-V9S2T0BW
Код товара: MZ-V9S2T0BW
30 500 ₽
В том числе НДС 22%: 5 500 ₽
Характеристики
- DRAM буфер
- 1
- TBW твердотельного накопителя
- 1200 Тбайт
- Ёмкость накопителя
- 2000 Гбайт
- Интерфейс
- PCIe 4.0 x4 (NVMe)
- Назначение
- Клиентские ПК
- Скорость последовательного чтения
- 7250 Мбайт/c
- Скорость последовательной записи
- 6300 Мбайт/c
- Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32)
- 1000000 IOPS
- Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32)
- 1350000 IOPS
- Средняя наработка на отказ
- 1500000 ч
- Тип памяти
- V-NAND
- Форм-фактор
- M.2 2280
Похожие товары
Все товары →Счёт и документы
Подготовим счёт, закрывающие документы и ЭДО для юридических лиц.
Помощь с подбором
Проверим совместимость и предложим альтернативы, если товар нужен под задачу.
Запросить коммерческое предложение
Оставьте контакты, и менеджер уточнит наличие, сроки поставки и финальную стоимость.
info@whitebyte.ru +7 (812) 214-21-00