← Назад

Основные характеристики

Тип
V-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Производитель
Samsung Electronics
DRAM буфер
1
TBW твердотельного накопителя
1200 Тбайт
Ёмкость накопителя
2000 Гбайт
Все характеристики →

Samsung Electronics MZ-V9S2T0BW

Код товара: MZ-V9S2T0BW

37 800 ₽

В том числе НДС 22%: 6 816 ₽

Наличие100 шт.

Доставка2–3 дня

Характеристики

DRAM буфер
1
TBW твердотельного накопителя
1200 Тбайт
Ёмкость накопителя
2000 Гбайт
Интерфейс
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Назначение
Клиентские ПК
Скорость последовательного чтения
7250 Мбайт/c
Скорость последовательной записи
6300 Мбайт/c
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32)
1000000 IOPS
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32)
1350000 IOPS
Средняя наработка на отказ
1500000 ч
Тип памяти
V-NAND
Форм-фактор
M.2 2280

Отзывы о товаре

У этого товара пока нет отзывов. Будьте первым.

Доставка в четырёх регионах

Доставляем до двери службой «Яндекс Доставка» по Санкт-Петербургу, Ленинградской области, Москве и Московской области.

Счёт и документы

Подготовим счёт, закрывающие документы и ЭДО для юридических лиц.

Помощь с подбором

Проверим совместимость и предложим альтернативы, если товар нужен под задачу.

Запросить коммерческое предложение

Оставьте контакты, и менеджер уточнит наличие, сроки поставки и финальную стоимость.

info@whitebyte.ru +7 (812) 214-21-00
37 800 ₽
1