Основные характеристики

Тип
V-NAND
Интерфейс
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Производитель
Samsung Electronics
DRAM буфер
1
TBW твердотельного накопителя
2400 Тбайт
Ёмкость накопителя
4000 Гбайт
Все характеристики →

Samsung MZ-V9P4T0CW

Код товара: MZ-V9P4T0CW

62 900 ₽

В том числе НДС 22%: 11 343 ₽

НаличиеМного

Доставка2–3 дня

Описание

• Gen4 выходит на арену с улучшением случайной производительности более чем на 55% по сравнению с 980 PRO.

• Благодаря скорости чтения и записи до 7450/6900 МБ/с² вы достигнете почти максимальной производительности PCIe® 4.0³ при любом использовании.

• Выделите себе немного места с объемом памяти от 1 ТБ до 4 ТБ.

• Сверхтонкий встроенный радиатор отводит тепло от вашего устройства, обеспечивая непрерывную игру.

Характеристики

DRAM буфер
1
TBW твердотельного накопителя
2400 Тбайт
Ёмкость накопителя
4000 Гбайт
Интерфейс
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Кэш-память
1000
Модель
Samsung 990 PRO
Назначение
Клиентские ПК
Объём DRAM буфера
4096 Мб
Скорость последовательного чтения
7450 Мбайт/c
Скорость последовательной записи
6900 Мбайт/c
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32)
1400000 IOPS
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32)
1550000 IOPS
Средняя наработка на отказ
1500000 ч
Тип памяти
V-NAND
Форм-фактор
M.2 2280

Доставка по России

Подберём способ доставки под тип товара и сроки проекта.

Счёт и документы

Подготовим счёт, закрывающие документы и ЭДО для юридических лиц.

Помощь с подбором

Проверим совместимость и предложим альтернативы, если товар нужен под задачу.

Запросить коммерческое предложение

Оставьте контакты, и менеджер уточнит наличие, сроки поставки и финальную стоимость.

info@whitebyte.ru +7 (812) 214-21-00